TK10P50W,RQ

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
TK10P50W,RQ
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET PWR MOSFETPD=80W F=1MHZ

tekniset tiedot

Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
5.5 ns
Id - Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
DPAK-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
80 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
430 mOhms
Rise Time
22 ns
Series
TK10P50W
Technology
SI
Tradename
DTMOSVI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
75 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V

Uusimmat arvostelut

Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

Perfectly.

Fast shippng. Good quality. I recomend this seller.

The goods are OK, thank you dealers.

Aiheeseen liittyvät avainsanat TK10

  • TK10P50W,RQ Integroitu
  • TK10P50W,RQ RoHS
  • TK10P50W,RQ PDF-tietosivu
  • TK10P50W,RQ Datalehdet
  • TK10P50W,RQ Osa
  • TK10P50W,RQ Ostaa
  • TK10P50W,RQ Jakelija
  • TK10P50W,RQ PDF
  • TK10P50W,RQ Component
  • TK10P50W,RQ ICS
  • TK10P50W,RQ Lataa PDF
  • TK10P50W,RQ Lataa tiedot
  • TK10P50W,RQ Toimittaa
  • TK10P50W,RQ toimittaja
  • TK10P50W,RQ Hinta
  • TK10P50W,RQ Tietolomake
  • TK10P50W,RQ Kuva
  • TK10P50W,RQ Kuva
  • TK10P50W,RQ inventaario
  • TK10P50W,RQ kalusto
  • TK10P50W,RQ Alkuperäinen
  • TK10P50W,RQ halvin
  • TK10P50W,RQ Erinomainen
  • TK10P50W,RQ Lyijytön
  • TK10P50W,RQ määrittely
  • TK10P50W,RQ Kuumat tarjoukset
  • TK10P50W,RQ Break Hinta
  • TK10P50W,RQ Tekniset tiedot