IKD10N60RFATMA1

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
150 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Unit Weight

Uusimmat arvostelut

Thanks for your feedback!

Perfectly.

The goods are OK, thank you dealers.

Long Service and Russia!

Looks good

Aiheeseen liittyvät avainsanat IKD1

  • IKD10N60RFATMA1 Integroitu
  • IKD10N60RFATMA1 RoHS
  • IKD10N60RFATMA1 PDF-tietosivu
  • IKD10N60RFATMA1 Datalehdet
  • IKD10N60RFATMA1 Osa
  • IKD10N60RFATMA1 Ostaa
  • IKD10N60RFATMA1 Jakelija
  • IKD10N60RFATMA1 PDF
  • IKD10N60RFATMA1 Component
  • IKD10N60RFATMA1 ICS
  • IKD10N60RFATMA1 Lataa PDF
  • IKD10N60RFATMA1 Lataa tiedot
  • IKD10N60RFATMA1 Toimittaa
  • IKD10N60RFATMA1 toimittaja
  • IKD10N60RFATMA1 Hinta
  • IKD10N60RFATMA1 Tietolomake
  • IKD10N60RFATMA1 Kuva
  • IKD10N60RFATMA1 Kuva
  • IKD10N60RFATMA1 inventaario
  • IKD10N60RFATMA1 kalusto
  • IKD10N60RFATMA1 Alkuperäinen
  • IKD10N60RFATMA1 halvin
  • IKD10N60RFATMA1 Erinomainen
  • IKD10N60RFATMA1 Lyijytön
  • IKD10N60RFATMA1 määrittely
  • IKD10N60RFATMA1 Kuumat tarjoukset
  • IKD10N60RFATMA1 Break Hinta
  • IKD10N60RFATMA1 Tekniset tiedot