IKD10N60RF

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
150 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Unit Weight

Uusimmat arvostelut

Received, Fast shipping, not checked yet

Thank You all fine, packed very well

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Seems well have not tested

Aiheeseen liittyvät avainsanat IKD1

  • IKD10N60RF Integroitu
  • IKD10N60RF RoHS
  • IKD10N60RF PDF-tietosivu
  • IKD10N60RF Datalehdet
  • IKD10N60RF Osa
  • IKD10N60RF Ostaa
  • IKD10N60RF Jakelija
  • IKD10N60RF PDF
  • IKD10N60RF Component
  • IKD10N60RF ICS
  • IKD10N60RF Lataa PDF
  • IKD10N60RF Lataa tiedot
  • IKD10N60RF Toimittaa
  • IKD10N60RF toimittaja
  • IKD10N60RF Hinta
  • IKD10N60RF Tietolomake
  • IKD10N60RF Kuva
  • IKD10N60RF Kuva
  • IKD10N60RF inventaario
  • IKD10N60RF kalusto
  • IKD10N60RF Alkuperäinen
  • IKD10N60RF halvin
  • IKD10N60RF Erinomainen
  • IKD10N60RF Lyijytön
  • IKD10N60RF määrittely
  • IKD10N60RF Kuumat tarjoukset
  • IKD10N60RF Break Hinta
  • IKD10N60RF Tekniset tiedot