DN350T05-7

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
350 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hfe Min
15 at 100 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Height
1 mm
Length
3.05 mm
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Pd - Power Dissipation
300 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
DN350
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Unit Weight
Width
1.4 mm

Uusimmat arvostelut

Everything is excellent! recommend this seller!

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Long Service and Russia!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Looks good

Aiheeseen liittyvät avainsanat DN35

  • DN350T05-7 Integroitu
  • DN350T05-7 RoHS
  • DN350T05-7 PDF-tietosivu
  • DN350T05-7 Datalehdet
  • DN350T05-7 Osa
  • DN350T05-7 Ostaa
  • DN350T05-7 Jakelija
  • DN350T05-7 PDF
  • DN350T05-7 Component
  • DN350T05-7 ICS
  • DN350T05-7 Lataa PDF
  • DN350T05-7 Lataa tiedot
  • DN350T05-7 Toimittaa
  • DN350T05-7 toimittaja
  • DN350T05-7 Hinta
  • DN350T05-7 Tietolomake
  • DN350T05-7 Kuva
  • DN350T05-7 Kuva
  • DN350T05-7 inventaario
  • DN350T05-7 kalusto
  • DN350T05-7 Alkuperäinen
  • DN350T05-7 halvin
  • DN350T05-7 Erinomainen
  • DN350T05-7 Lyijytön
  • DN350T05-7 määrittely
  • DN350T05-7 Kuumat tarjoukset
  • DN350T05-7 Break Hinta
  • DN350T05-7 Tekniset tiedot