DN3545N3-G

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
DN3545N3-G
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET 450V 20Ohm

tekniset tiedot

Luokat
MOSFET
Channel Mode
Depletion
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
150 ms
Height
5.33 mm
Id - Continuous Drain Current
136 mA
Length
5.21 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
740 mW
Product
MOSFET Small Signal
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
20 Ohms
Rise Time
30 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
FET
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
450 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Width
4.19 mm

Uusimmat arvostelut

Received, Fast shipping, not checked yet

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Takes 8 days to Japan. Good!

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Order received all the rules. Ощень мана quickly, to Yakutia 5 day, respect, not tupit. Packed in standard. Driver in the form of niche, soldering standards, not tested. And diode, he ordered. Orders joined fellow

Aiheeseen liittyvät avainsanat DN35

  • DN3545N3-G Integroitu
  • DN3545N3-G RoHS
  • DN3545N3-G PDF-tietosivu
  • DN3545N3-G Datalehdet
  • DN3545N3-G Osa
  • DN3545N3-G Ostaa
  • DN3545N3-G Jakelija
  • DN3545N3-G PDF
  • DN3545N3-G Component
  • DN3545N3-G ICS
  • DN3545N3-G Lataa PDF
  • DN3545N3-G Lataa tiedot
  • DN3545N3-G Toimittaa
  • DN3545N3-G toimittaja
  • DN3545N3-G Hinta
  • DN3545N3-G Tietolomake
  • DN3545N3-G Kuva
  • DN3545N3-G Kuva
  • DN3545N3-G inventaario
  • DN3545N3-G kalusto
  • DN3545N3-G Alkuperäinen
  • DN3545N3-G halvin
  • DN3545N3-G Erinomainen
  • DN3545N3-G Lyijytön
  • DN3545N3-G määrittely
  • DN3545N3-G Kuumat tarjoukset
  • DN3545N3-G Break Hinta
  • DN3545N3-G Tekniset tiedot