HUF76609D3ST

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
HUF76609D3ST
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

tekniset tiedot

Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
28 ns
Height
2.39 mm
Id - Continuous Drain Current
10 A
Length
6.73 mm
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
49 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
130 mOhms
Rise Time
41 ns
Series
HUF76609D3S
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Width
6.22 mm

Uusimmat arvostelut

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Looks good

All very good. AND packed as you have everything in good condition.

Parcel received shook cool all 10 pieces is not checked check unsubscribe

Long Service, goods sootvetsvuet

Aiheeseen liittyvät avainsanat HUF7

  • HUF76609D3ST Integroitu
  • HUF76609D3ST RoHS
  • HUF76609D3ST PDF-tietosivu
  • HUF76609D3ST Datalehdet
  • HUF76609D3ST Osa
  • HUF76609D3ST Ostaa
  • HUF76609D3ST Jakelija
  • HUF76609D3ST PDF
  • HUF76609D3ST Component
  • HUF76609D3ST ICS
  • HUF76609D3ST Lataa PDF
  • HUF76609D3ST Lataa tiedot
  • HUF76609D3ST Toimittaa
  • HUF76609D3ST toimittaja
  • HUF76609D3ST Hinta
  • HUF76609D3ST Tietolomake
  • HUF76609D3ST Kuva
  • HUF76609D3ST Kuva
  • HUF76609D3ST inventaario
  • HUF76609D3ST kalusto
  • HUF76609D3ST Alkuperäinen
  • HUF76609D3ST halvin
  • HUF76609D3ST Erinomainen
  • HUF76609D3ST Lyijytön
  • HUF76609D3ST määrittely
  • HUF76609D3ST Kuumat tarjoukset
  • HUF76609D3ST Break Hinta
  • HUF76609D3ST Tekniset tiedot