FF150R12ME3G

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current at 25 C
200 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Height
17 mm
Length
152 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package / Case
EconoDUAL-3
Packaging
Tray
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
695 W
Product
IGBT Silicon Modules
Product Type
IGBT Modules
Technology
SI
Unit Weight
Width
62 mm

Uusimmat arvostelut

Takes 8 days to Japan. Good!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Seems well have not tested

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

Aiheeseen liittyvät avainsanat FF15

  • FF150R12ME3G Integroitu
  • FF150R12ME3G RoHS
  • FF150R12ME3G PDF-tietosivu
  • FF150R12ME3G Datalehdet
  • FF150R12ME3G Osa
  • FF150R12ME3G Ostaa
  • FF150R12ME3G Jakelija
  • FF150R12ME3G PDF
  • FF150R12ME3G Component
  • FF150R12ME3G ICS
  • FF150R12ME3G Lataa PDF
  • FF150R12ME3G Lataa tiedot
  • FF150R12ME3G Toimittaa
  • FF150R12ME3G toimittaja
  • FF150R12ME3G Hinta
  • FF150R12ME3G Tietolomake
  • FF150R12ME3G Kuva
  • FF150R12ME3G Kuva
  • FF150R12ME3G inventaario
  • FF150R12ME3G kalusto
  • FF150R12ME3G Alkuperäinen
  • FF150R12ME3G halvin
  • FF150R12ME3G Erinomainen
  • FF150R12ME3G Lyijytön
  • FF150R12ME3G määrittely
  • FF150R12ME3G Kuumat tarjoukset
  • FF150R12ME3G Break Hinta
  • FF150R12ME3G Tekniset tiedot