FF150R12KE3G

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current at 25 C
225 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Height
30.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package / Case
62 mm
Packaging
Tray
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
780 W
Product
IGBT Silicon Modules
Product Type
IGBT Modules
Technology
SI
Unit Weight
Width
61.4 mm

Uusimmat arvostelut

Perfectly.

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Long Service and Russia!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

and whole all right. the features no more функционалу check.

Aiheeseen liittyvät avainsanat FF15

  • FF150R12KE3G Integroitu
  • FF150R12KE3G RoHS
  • FF150R12KE3G PDF-tietosivu
  • FF150R12KE3G Datalehdet
  • FF150R12KE3G Osa
  • FF150R12KE3G Ostaa
  • FF150R12KE3G Jakelija
  • FF150R12KE3G PDF
  • FF150R12KE3G Component
  • FF150R12KE3G ICS
  • FF150R12KE3G Lataa PDF
  • FF150R12KE3G Lataa tiedot
  • FF150R12KE3G Toimittaa
  • FF150R12KE3G toimittaja
  • FF150R12KE3G Hinta
  • FF150R12KE3G Tietolomake
  • FF150R12KE3G Kuva
  • FF150R12KE3G Kuva
  • FF150R12KE3G inventaario
  • FF150R12KE3G kalusto
  • FF150R12KE3G Alkuperäinen
  • FF150R12KE3G halvin
  • FF150R12KE3G Erinomainen
  • FF150R12KE3G Lyijytön
  • FF150R12KE3G määrittely
  • FF150R12KE3G Kuumat tarjoukset
  • FF150R12KE3G Break Hinta
  • FF150R12KE3G Tekniset tiedot