2N2102

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
1 A
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
60 MHz
Height
6.6 mm
Length
9.4 mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-39-3
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2N2102
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Width
9.4 mm

Uusimmat arvostelut

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

Everything is excellent! recommend this seller!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

The goods are OK, thank you dealers.

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Aiheeseen liittyvät avainsanat 2N21

  • 2N2102 Integroitu
  • 2N2102 RoHS
  • 2N2102 PDF-tietosivu
  • 2N2102 Datalehdet
  • 2N2102 Osa
  • 2N2102 Ostaa
  • 2N2102 Jakelija
  • 2N2102 PDF
  • 2N2102 Component
  • 2N2102 ICS
  • 2N2102 Lataa PDF
  • 2N2102 Lataa tiedot
  • 2N2102 Toimittaa
  • 2N2102 toimittaja
  • 2N2102 Hinta
  • 2N2102 Tietolomake
  • 2N2102 Kuva
  • 2N2102 Kuva
  • 2N2102 inventaario
  • 2N2102 kalusto
  • 2N2102 Alkuperäinen
  • 2N2102 halvin
  • 2N2102 Erinomainen
  • 2N2102 Lyijytön
  • 2N2102 määrittely
  • 2N2102 Kuumat tarjoukset
  • 2N2102 Break Hinta
  • 2N2102 Tekniset tiedot