GA04JT17-247

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
GA04JT17-247
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A

tekniset tiedot

Luokat
MOSFET
Configuration
Single
Fall Time
50 ns
Id - Continuous Drain Current
15 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
91 W
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
480 mOhms
Rise Time
28 ns
Series
GA04
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
73 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.7 kV

Uusimmat arvostelut

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

Everything is excellent! recommend this seller!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Fast shippng. Good quality. I recomend this seller.

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Aiheeseen liittyvät avainsanat GA04

  • GA04JT17-247 Integroitu
  • GA04JT17-247 RoHS
  • GA04JT17-247 PDF-tietosivu
  • GA04JT17-247 Datalehdet
  • GA04JT17-247 Osa
  • GA04JT17-247 Ostaa
  • GA04JT17-247 Jakelija
  • GA04JT17-247 PDF
  • GA04JT17-247 Component
  • GA04JT17-247 ICS
  • GA04JT17-247 Lataa PDF
  • GA04JT17-247 Lataa tiedot
  • GA04JT17-247 Toimittaa
  • GA04JT17-247 toimittaja
  • GA04JT17-247 Hinta
  • GA04JT17-247 Tietolomake
  • GA04JT17-247 Kuva
  • GA04JT17-247 Kuva
  • GA04JT17-247 inventaario
  • GA04JT17-247 kalusto
  • GA04JT17-247 Alkuperäinen
  • GA04JT17-247 halvin
  • GA04JT17-247 Erinomainen
  • GA04JT17-247 Lyijytön
  • GA04JT17-247 määrittely
  • GA04JT17-247 Kuumat tarjoukset
  • GA04JT17-247 Break Hinta
  • GA04JT17-247 Tekniset tiedot