IKD04N60RFAATMA1

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
8 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
75 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

Uusimmat arvostelut

Received, Fast shipping, not checked yet

Thank You all fine, packed very well

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Seems well have not tested

Aiheeseen liittyvät avainsanat IKD0

  • IKD04N60RFAATMA1 Integroitu
  • IKD04N60RFAATMA1 RoHS
  • IKD04N60RFAATMA1 PDF-tietosivu
  • IKD04N60RFAATMA1 Datalehdet
  • IKD04N60RFAATMA1 Osa
  • IKD04N60RFAATMA1 Ostaa
  • IKD04N60RFAATMA1 Jakelija
  • IKD04N60RFAATMA1 PDF
  • IKD04N60RFAATMA1 Component
  • IKD04N60RFAATMA1 ICS
  • IKD04N60RFAATMA1 Lataa PDF
  • IKD04N60RFAATMA1 Lataa tiedot
  • IKD04N60RFAATMA1 Toimittaa
  • IKD04N60RFAATMA1 toimittaja
  • IKD04N60RFAATMA1 Hinta
  • IKD04N60RFAATMA1 Tietolomake
  • IKD04N60RFAATMA1 Kuva
  • IKD04N60RFAATMA1 Kuva
  • IKD04N60RFAATMA1 inventaario
  • IKD04N60RFAATMA1 kalusto
  • IKD04N60RFAATMA1 Alkuperäinen
  • IKD04N60RFAATMA1 halvin
  • IKD04N60RFAATMA1 Erinomainen
  • IKD04N60RFAATMA1 Lyijytön
  • IKD04N60RFAATMA1 määrittely
  • IKD04N60RFAATMA1 Kuumat tarjoukset
  • IKD04N60RFAATMA1 Break Hinta
  • IKD04N60RFAATMA1 Tekniset tiedot