RU1L002SNTL

Kuvat ovat vain viitteellisiä
Osa numero
RU1L002SNTL
Luokat
MOSFET
RoHS
Datalehdet
Kuvaus
MOSFET N-CHANNEL MOSFET 2.5V

tekniset tiedot

Luokat
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
28 ns
Id - Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-323FL-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
200 mW
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
2.4 Ohms
Rise Time
5 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
18 ns
Typical Turn-On Delay Time
3.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

Uusimmat arvostelut

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

The timer is running. 10 PCS. Packed properly.

Everything is fine!

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

Packed medium, in transit could поврелиться. But since it's safe, work perfectly

Saatat pitää myös

Ihmiset katsovat RU1L002SNTL sitten ostivat

Aiheeseen liittyvät avainsanat RU1L

  • RU1L002SNTL Integroitu
  • RU1L002SNTL RoHS
  • RU1L002SNTL PDF-tietosivu
  • RU1L002SNTL Datalehdet
  • RU1L002SNTL Osa
  • RU1L002SNTL Ostaa
  • RU1L002SNTL Jakelija
  • RU1L002SNTL PDF
  • RU1L002SNTL Component
  • RU1L002SNTL ICS
  • RU1L002SNTL Lataa PDF
  • RU1L002SNTL Lataa tiedot
  • RU1L002SNTL Toimittaa
  • RU1L002SNTL toimittaja
  • RU1L002SNTL Hinta
  • RU1L002SNTL Tietolomake
  • RU1L002SNTL Kuva
  • RU1L002SNTL Kuva
  • RU1L002SNTL inventaario
  • RU1L002SNTL kalusto
  • RU1L002SNTL Alkuperäinen
  • RU1L002SNTL halvin
  • RU1L002SNTL Erinomainen
  • RU1L002SNTL Lyijytön
  • RU1L002SNTL määrittely
  • RU1L002SNTL Kuumat tarjoukset
  • RU1L002SNTL Break Hinta
  • RU1L002SNTL Tekniset tiedot