IKQ75N120CT2XKSA1

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
150 A
Continuous Collector Current Ic Max
150 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO247-3-46
Packaging
Tube
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
938 W
Product Type
IGBT Transistors
Technology
SI
Unit Weight

Uusimmat arvostelut

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Everything is excellent! recommend this seller!

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Fast shippng. Good quality. I recomend this seller.

Works. Recommend

Aiheeseen liittyvät avainsanat IKQ7

  • IKQ75N120CT2XKSA1 Integroitu
  • IKQ75N120CT2XKSA1 RoHS
  • IKQ75N120CT2XKSA1 PDF-tietosivu
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Datalehdet
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Osa
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Ostaa
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Jakelija
  • IKQ75N120CT2XKSA1 PDF
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Component
  • IKQ75N120CT2XKSA1 ICS
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Lataa PDF
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Lataa tiedot
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Toimittaa
  • IKQ75N120CT2XKSA1 toimittaja
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Hinta
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Tietolomake
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Kuva
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Kuva
  • IKQ75N120CT2XKSA1 inventaario
  • IKQ75N120CT2XKSA1 kalusto
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Alkuperäinen
  • IKQ75N120CT2XKSA1 halvin
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Erinomainen
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Lyijytön
  • IKQ75N120CT2XKSA1 määrittely
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Kuumat tarjoukset
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Break Hinta
  • IKQ75N120CT2XKSA1 Tekniset tiedot