IKD06N60RAATMA2

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
100 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

Uusimmat arvostelut

fast delivery, item as described, thanks!!

all exactly and work. радиолюбителя useful set to, thank you)

Everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved 5

fast delivery

The goods are OK, thank you dealers.

Aiheeseen liittyvät avainsanat IKD0

  • IKD06N60RAATMA2 Integroitu
  • IKD06N60RAATMA2 RoHS
  • IKD06N60RAATMA2 PDF-tietosivu
  • IKD06N60RAATMA2 Datalehdet
  • IKD06N60RAATMA2 Osa
  • IKD06N60RAATMA2 Ostaa
  • IKD06N60RAATMA2 Jakelija
  • IKD06N60RAATMA2 PDF
  • IKD06N60RAATMA2 Component
  • IKD06N60RAATMA2 ICS
  • IKD06N60RAATMA2 Lataa PDF
  • IKD06N60RAATMA2 Lataa tiedot
  • IKD06N60RAATMA2 Toimittaa
  • IKD06N60RAATMA2 toimittaja
  • IKD06N60RAATMA2 Hinta
  • IKD06N60RAATMA2 Tietolomake
  • IKD06N60RAATMA2 Kuva
  • IKD06N60RAATMA2 Kuva
  • IKD06N60RAATMA2 inventaario
  • IKD06N60RAATMA2 kalusto
  • IKD06N60RAATMA2 Alkuperäinen
  • IKD06N60RAATMA2 halvin
  • IKD06N60RAATMA2 Erinomainen
  • IKD06N60RAATMA2 Lyijytön
  • IKD06N60RAATMA2 määrittely
  • IKD06N60RAATMA2 Kuumat tarjoukset
  • IKD06N60RAATMA2 Break Hinta
  • IKD06N60RAATMA2 Tekniset tiedot