BF 999 E6327

tekniset tiedot

Luokat
RF MOSFET Transistors
Configuration
Single
Height
1 mm
Id - Continuous Drain Current
30 A
Length
2.9 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-23
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
200 mW
Product Type
RF MOSFET Transistors
Series
BF999
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Small Signal MOSFET
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
6.5 V
Width
1.3 mm

Uusimmat arvostelut

fast delivery, item as described, thanks!!

Takes 8 days to Japan. Good!

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Thank You all fine, packed very well

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Aiheeseen liittyvät avainsanat BF 9

  • BF 999 E6327 Integroitu
  • BF 999 E6327 RoHS
  • BF 999 E6327 PDF-tietosivu
  • BF 999 E6327 Datalehdet
  • BF 999 E6327 Osa
  • BF 999 E6327 Ostaa
  • BF 999 E6327 Jakelija
  • BF 999 E6327 PDF
  • BF 999 E6327 Component
  • BF 999 E6327 ICS
  • BF 999 E6327 Lataa PDF
  • BF 999 E6327 Lataa tiedot
  • BF 999 E6327 Toimittaa
  • BF 999 E6327 toimittaja
  • BF 999 E6327 Hinta
  • BF 999 E6327 Tietolomake
  • BF 999 E6327 Kuva
  • BF 999 E6327 Kuva
  • BF 999 E6327 inventaario
  • BF 999 E6327 kalusto
  • BF 999 E6327 Alkuperäinen
  • BF 999 E6327 halvin
  • BF 999 E6327 Erinomainen
  • BF 999 E6327 Lyijytön
  • BF 999 E6327 määrittely
  • BF 999 E6327 Kuumat tarjoukset
  • BF 999 E6327 Break Hinta
  • BF 999 E6327 Tekniset tiedot