FF200R12KE3

tekniset tiedot

Luokat
IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current at 25 C
200 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Height
30.9 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package / Case
IS5a ( 62 mm )-7
Packaging
Tray
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.05 kW
Product Type
IGBT Modules
Width
61.4 mm

Uusimmat arvostelut

Thanks for your feedback!

Takes 8 days to Japan. Good!

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Everything is fine!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Aiheeseen liittyvät avainsanat FF20

  • FF200R12KE3 Integroitu
  • FF200R12KE3 RoHS
  • FF200R12KE3 PDF-tietosivu
  • FF200R12KE3 Datalehdet
  • FF200R12KE3 Osa
  • FF200R12KE3 Ostaa
  • FF200R12KE3 Jakelija
  • FF200R12KE3 PDF
  • FF200R12KE3 Component
  • FF200R12KE3 ICS
  • FF200R12KE3 Lataa PDF
  • FF200R12KE3 Lataa tiedot
  • FF200R12KE3 Toimittaa
  • FF200R12KE3 toimittaja
  • FF200R12KE3 Hinta
  • FF200R12KE3 Tietolomake
  • FF200R12KE3 Kuva
  • FF200R12KE3 Kuva
  • FF200R12KE3 inventaario
  • FF200R12KE3 kalusto
  • FF200R12KE3 Alkuperäinen
  • FF200R12KE3 halvin
  • FF200R12KE3 Erinomainen
  • FF200R12KE3 Lyijytön
  • FF200R12KE3 määrittely
  • FF200R12KE3 Kuumat tarjoukset
  • FF200R12KE3 Break Hinta
  • FF200R12KE3 Tekniset tiedot