2N2857

Kuvat ovat vain viitteellisiä

tekniset tiedot

Luokat
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Configuration
Single
Continuous Collector Current
40 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min
30
DC Current Gain hFE Max
150
Emitter- Base Voltage VEBO
2.5 V
Gain Bandwidth Product fT
1.9 GHz
Height
5.33 mm
Length
5.84 mm
Maximum DC Collector Current
40 mA
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-72-3
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
200 mW
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
2N2857
Technology
SI
Transistor Polarity
NPN
Unit Weight
Width
5.84 mm

Uusimmat arvostelut

packed pretty good, all is ok,-seller.

Perfectly.

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

I received the product right, thank you very much 2018/12/03 ★★★★★

all is well. checked work. seller recommend.

Aiheeseen liittyvät avainsanat 2N28

  • 2N2857 Integroitu
  • 2N2857 RoHS
  • 2N2857 PDF-tietosivu
  • 2N2857 Datalehdet
  • 2N2857 Osa
  • 2N2857 Ostaa
  • 2N2857 Jakelija
  • 2N2857 PDF
  • 2N2857 Component
  • 2N2857 ICS
  • 2N2857 Lataa PDF
  • 2N2857 Lataa tiedot
  • 2N2857 Toimittaa
  • 2N2857 toimittaja
  • 2N2857 Hinta
  • 2N2857 Tietolomake
  • 2N2857 Kuva
  • 2N2857 Kuva
  • 2N2857 inventaario
  • 2N2857 kalusto
  • 2N2857 Alkuperäinen
  • 2N2857 halvin
  • 2N2857 Erinomainen
  • 2N2857 Lyijytön
  • 2N2857 määrittely
  • 2N2857 Kuumat tarjoukset
  • 2N2857 Break Hinta
  • 2N2857 Tekniset tiedot